2.ഒരു അര്ദ്ധചാലക ക്രിസ്റ്റലിന്റെ ഭാഗമാകത്തക്കവിധം സംയോജകതയില് വ്യത്യാസമുള്ള മറ്റ് അപദ്രവ്യ ആറ്റങ്ങള് ചേര്ക്കുമ്പോള് ക്രിസ്റ്റലിന്റെ ചാര്ജിന് വ്യത്യാസം വരാത്തത് എന്തുകൊണ്ട് ?
3. ഒരു അര്ദ്ധചാലകത്തില് സംയോജക ഇലക് ട്രോണുകളും ചാലന ഇലക് ട്രോണുകളും ഉണ്ടെന്ന് നമുക്ക് അറിയാം .എന്നാല് ഒരു അര്ദ്ധചാലകത്തില് സംയോജക സുഷിരങ്ങളും ചാലന സുഷിരങ്ങളും ഉണ്ടെന്ന് പറയാമോ ?
4.ഒരു അര്ദ്ധചാലകത്തില് P തരം അപദ്രവ്യം ചേര്ക്കുമ്പോള് ധാരാളം സുഷിരങ്ങള് സൃഷ്ടിക്കപ്പെടുന്നു. ഇത് അര്ദ്ധചാലകത്തെ ചാര്ജ് ചെയ്യപ്പെട്ടവയാക്കുന്നില്ല. എന്നാല് P-n സന്ധി അര്ദ്ധചാലകത്തില് P ഭാഗത്തുനിന്ന് n ഭാഗത്തേയ്ക്ക് ഡിഫ്യൂസ് ചെയ്യുമ്പോള് n ഭാഗം പോസറ്റീവ് ആയി ചാര്ജ് ചെയ്യപ്പെടുന്നു. ഇത് വിശദീകരിക്കുന്നതെങ്ങനെ ?
5.P തരം അര്ദ്ധചാലക ക്രിസ്റ്റലില് സുഷിര പ്രവാഹവും ഇലക് ട്രോണ് പ്രവാഹവും പ്രായോഗികമായി ഒന്നുതന്നെയാണെന്ന് വിശദീകരിക്കാമോ ?
6. P-n സന്ധി ഡയോഡിന്റെ n ഭാഗത്ത് സ്വതന്ത്ര ഇലക് ട്രോണ് നിരവധിയുണ്ടെങ്കിലും അവയ്ക്ക് സാധാരണ അവസ്ഥയില് സന്ധിയെ മറികടന്ന് .P ഭാഗത്തെ സുഷിരങ്ങളിലേക്ക് നീങ്ങുവാന് കഴിയാത്തെതെന്തുകൊണ്ട് ? 7. റിവേഴ്സ് ബയസ് ചെയ്ത ഡയോഡില്ക്കൂടിയും വളരേ ചെറിയ കറന്റ് പ്രവഹിക്കുന്നുണ്ട് . എന്തുകൊണ്ടാണെന്നു വിശദീകരിക്കാമോ ?
8.ഒരു P-n സന്ധി ഡയോഡിന്റെ ഡിപ്ലീഷന് ലെയറിന്റെ വീതി ഫോര്വേഡ് ബയസിംഗിലും റിവേഴ്സ് ബയസിംഗിലും വ്യത്യസ്ത മാകുന്നതെങ്ങനെയെന്ന് വിശദീകരിക്കാമോ ?
9.റിവേഴ്സ് ബയസ് ചെയ്ത ഒരു അര്ദ്ധചാലക ഡയോഡ് ആല്ഫാ കണങ്ങളുടെ ചാര്ജ് അറിയാന് ഉപയോഗിക്കാം . ഇത് എങ്ങനെയെന്ന് വിശദീകരിക്കാമോ ?
ഉത്തരസൂചന
1.യോജിക്കുന്നു. സംയോജകത 1 മുതല് 3 വരെയുള്ള പദാര്ത്ഥങ്ങള് പൊതുവെ ചാലകങ്ങളായിരിക്കും. .സംയോജകത 4 ഉള്ളവ പൊതുവേ അര്ദ്ധചാലക സ്വഭാവമുള്ളവയായിരിക്കും .5മുതല് 8 വരെയുള്ളവ പൊതുവെ ഇന്സുലേറ്ററുകളായിരിക്കും .
2.അര്ദ്ധചാലകത്തിലെ ആറ്റങ്ങളിലെ ആകെ പോസറ്റീവ് ചാര്ജും നെഗറ്റീവ് ചാര്ജും തുല്യമായിരിക്കും .അതുകൊണ്ട് ആറ്റം ന്യൂട്രല് ആണ് .അപ്പോള് ക്രിസ്റ്റലിലെ ആകെ ചാര്ജ് പൂജ്യം ആണ് .ഡോപ്പുചെയ്യുന്നതിനുമുമ്പ് ഡോപ്പുചെയ്യുന്നതിനുപയോഗിച്ച ആറ്റങ്ങളും ന്യൂട്രല് ആയിരുന്നല്ലോ .അവ ക്രിസ്റ്റലില് പ്രവേശിക്കുമ്പോള് , ഇലക് ട്രോണ് വിന്യാസം മാറുന്നുവെന്നല്ലാതെ ആകെ ചാര്ജിന് മാറ്റം ഉണ്ടാകുന്നില്ല .അതുകൊണ്ട് ക്രിസ്റ്റല് എപ്പോഴും ന്യൂട്രല് തന്നെയായിരിക്കും .
3.ഇല്ല.സുഷിരങ്ങള് എപ്പോഴും സംയോജക ഷെല്ലില് മാത്രമേ ഉണ്ടാകുകയുള്ളൂ. സുഷിരങ്ങള് എന്നതിനര്ത്ഥം ഇലക് ട്രോണിന്റെ അഭാവം മാത്രമാണ് .
4.n ഭാഗത്ത് ഉള്ള അപദ്രവ്യ ആറ്റത്തിന്റെ സ്വതന്ത്ര ഇലക് ട്രോണ് P ഭാഗത്തുള്ള അപദ്രവ്യ ആറ്റത്തിനു ലഭിക്കുമ്പോള് P ഭാഗത്തെ ഡിപ്ലീഷന് ലെയറിലുള്ള അപദ്രവ്യ ആറ്റം നെഗറ്റീവ് അയോണും n ഭാഗത്തെ ഡിപ്ലീഷന് ലെയറിലുള്ള അപദ്രവ്യ ആറ്റം പോസറ്റീവ് അയോണും ആയിമാറുന്നു.
5..P തരം അര്ദ്ധചാലക ക്രിസ്റ്റലിലൂടെ ഇലക് ട്രോണ് പോസറ്റീവ് ടെര്മിനലിലേക്കു നീങ്ങുന്നത് സംയോജക ഷെല്ലിലൂടെയാണ് .ഇത്തരത്തില് ഒരു ദിശയില് ഇലക് ട്രോണുകള് നീങ്ങുമ്പോള് ഇലക് ട്രോണുകളുടേ ചലനത്താല് സൃഷ്ടിക്കപ്പെടുന്ന സുഷിരങ്ങള് മറുഭാഗത്തേയ്ക്ക് നീങ്ങുന്നു.
6..n ഭാഗത്ത് ഉള്ള സ്വതന്ത്ര ഇലക് ട്രോണുകള്ക്ക് സന്ധിക്കു കുറുകെ നീങ്ങണമെങ്കില് P ഭാഗത്തെ സന്ധിയില് രൂപീകരിയ്ക്കപ്പെട്ട നെഗറ്റീവ് ചാര്ജുകളുടെ (അയോണുകളുടെ ) ലെയറിന്റെ വികര്ഷണത്തെ മറികടക്കേണ്ടതുണ്ട് . അതിനാവശ്യമായ ഊര്ജ്ജം സാധാരണഗതിയില് അവയ്ക്കില്ല. സന്ധിയിലുണ്ടാകുന്ന പൊട്ടെന്ഷ്യല് ബാരിയറിന്റെ ദിശ ഇലക് ട്രോണിന്റെ നീക്കത്തെ എതിര്ക്കുന്ന രീതിയിലാണ് .
കടപ്പാട് : പത്താം ക്ലാസിലെ അദ്ധ്യാപകസഹായി
3 comments:
താങ്കളുടെ ബ്ലോഗ് കണ്ടു,സ്ഥിരമായി വായിക്കാം.ആശംസകള്.
എം.കെ. ഹരികുമാര്
ഉത്തരങ്ങള് ഉടനെ വേണോ?
ഇവിടെ എത്തിപ്പെട്ടത് ഇപ്പോഴാണ്. നല്ല ഉദ്യമം. വീണ്ടും വരാം.
Post a Comment